中国政府持续推出的以旧换新补贴政策有效地刺激智能手机销量2025年3月5日宣告研报称，NANDFlash市集供需构造将希望正在25年下半年明显改观，蕴涵原厂减产、智熟手机库存去化、AI及效应等成分将推升 NANDFlash需求，从而缓解供过于求的局势，预期下半年将迎来价钱回升。别的，自2024年第四序起，中邦政府一连推出的以旧换新补贴计谋有用地刺激智熟手机销量，加快 NANDFlash库存去化速率。智熟手机品牌厂有时机正在2025年第二季放大低价库存，带头需求动能。同时，存储削价即将完了，25Q2价钱希望慢慢回升，行业拐点驾临。
NANDFlash合同价希望于25Q2起源上涨，涨价趋向希望一连至25岁暮
TrendForce集邦斟酌以为，NANDFlash市集供需构造将希望正在25年下半年明显改观，蕴涵原厂减产、智熟手机库存去化、AI及DeepSeek效应等成分将推升NANDFlash需求，从而缓解供过于求的局势，预期下半年将迎来价钱回升。遵照闪德资讯，跟着NANDFlash厂商踊跃减产以支持供需次第，NANDFlash下逛希望于2025年第二季度进入补库存周期，NANDFlash合同价也希望于2025年第二季度起源上涨，涨价趋向起码可一连至2025岁暮，NANDFlash下半年希望转为求过于供。别的，自2024年第四序起，中邦政府一连推出的以旧换新补贴计谋有用地刺激智熟手机销量，加快NANDFlash库存去化速率。智熟手机品牌厂有时机正在2025年第二季放大低价库存，带头需求动能。
遵照闪存市集，2025年第一季度受2024年尾库存调节影响，消费级DRAM价钱小幅下跌(约3-5%)，企业级产物因需求稳固维持稳固;2025年第二季度AI芯片缺货缓解带头HBM(高带宽内存)配套DRAM需求，价钱环比上涨5-8%;2025年第三季度守旧消费电子旺季备货启动，叠加手机厂商提前采购LPDDR6，价钱涨幅将放大至10-12%;2025年第四序度供需趋于平均，价钱高位颠簸，整年归纳涨幅估计达15-18%。遵照闪德资讯，2025年2月24日至2025年2月28日当周，DRAM市集维持稳固，营业较前两周有所擢升。D3、D4现货供应填塞，价钱大幅上涨的或者性较低。D5上周现货颗粒价钱有所上调，但加工条价钱上涨空间有限，且市集对D5的耗费仍未到达预期水准，短期价钱动摇有限。
三星宣告了9100 PROPCIe 5.0 NVMe SSD。9100 PROSSD采用了PCIe 5.0 x4接口，外形为M.22280规格，供给了1TB、2TB、4TB和8TB四种容量可选。美光宣告，已向生态体例团结伙伴及个别客户供给基于1γ节点、第六代(10nm级)DRAM节点的DDR5内存样品。基于1γ节点的16Gb DDR5产物DDR5内存速率可达9200MT/s，较上一代擢升15%，可餍足数据核心、端侧AI修立对高机能揣度的需求。
据韩邦媒体ZDNet Korea 2025年2月24日报道称，三星电子近期已与中邦存储芯片厂商长江存储订立了拓荒堆叠400众层NANDFlash所需的“夹杂键合”(Hybrid Bonding)工夫的专利许可允诺，以便从其第10代(V10)NANDFlash产物(430层)起源操纵该专利工夫来举行缔制。该报道称，三星之以是采取向长江存储获取“夹杂键合”专利授权，苛重因为目前长江存储正在“夹杂键合”工夫方面处于环球领先职位。三星过程评估以为，从下一代V10 NAND起源，其仍旧无法再避免长江存储专利的影响。
危机剖释：半导体需求不足预期危机、宏观经济不如预期危机、行业角逐加剧危机。
